英诺赛科研发中心工程在高新区奠基开工
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英诺赛科研发中心工程项目于201653日举行了奠基仪式。计划竣工日期为2016105日,总用地面积14345.25m2,建筑面积21517.88m2

英诺赛科研发中心工程项目是我区重点引进的高新技术产业项目,项目公司由英诺赛科集团有限公司(INNOSCIENCE GROUP INC)和高新区国企珠海高新创投有限公司、珠海高新技术创业服务中心共同出资成立,注册资本10亿元人民币。核心团队成员包括原美国NASA首席科学家朴演峻博士、德国科学院韦伯院士、阿拉巴马州立大学科学家骆薇薇博士及原LG美国区域采购总裁孙在亨先生等行业专家,致力于第三代半导体单晶体新材料的研发和生产工艺设计,并推进该技术的产业化。